お客様による、当社の技術を用いた技術評価論文の発表のお知らせです。

株式会社サイオクス 様
　紫光技研の光源を使ったエッチング技術について

■応用物理学会
3/9-12、東工大(大岡山)
https://meeting.jsap.or.jp/program
講演番号：10a-M121-6
2019年3月10日(日) 10:30 〜 10:45
タイトル　[10a-M121-6] GaNの光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性
②コンタクトレスでのエッチング

■NPFセミナー
3月14日(木)、産総研(お台場)
https://ssl.open-innovation.jp/npf/training/h30-4/

＜論文情報＞
出典：Applied Physics Express 12, 031003 (2019)
論文タイトル『Simple wet-etching technology for GaN using an electrodeless photo-assisted electrochemical reaction with a luminous array film as the UV source』
　論文リンク先→　http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab043c
　　※こちらの論文はお客様のご了承のうえ、掲載しております。

　当社理解による論文概要(ご参考)
　・UVCーLAFiを照射しながらGaNの化学エッチングエッチングができる。
　・これまで、１ｋWクラスのHgランプやエキシマ-ランプを使用していたが実用的でない。
　・そこでLAFiを検討して、従来のDry etching と同等のエッチングスピードが実現出来た。
　・LAFiはわずか１５Wで8.2ｍW/cm が出ている。
　・従来のUVA－LEDを使用した場合に比べて１/340の消費電力になる
　・非常に簡単な方法で、誰でも使用出来る。