お客様評価資料

お取引先様による、当社技術を用いた評価資料

◆　大阪産業大学　様

2019年3月の『第53回日本水環境学会年会（2018年度）』にてポスター発表

201903_プラズマ発光型水銀フリー紫外線光源を用いた医薬品類の分解特性(大阪産業大学様)

◆　国立研究開発法人　海洋研究開発機構　様

『うみコン2019（海と産業革新コンベンション)』の、当社の実機を用いた海洋実験の内容展示ブースにて配布

UV-LAFiを用いた生物付着防止について(海洋機構様).pdf

◆　株式会社サイオクス　様

紫光技研の光源を使ったエッチング技術の論文。2019年3月に応用物理学会と産総研NPFセミナーにて発表

出典：Applied Physics Express 12, 031003 (2019)
論文タイトル『Simple wet-etching technology for GaN using an electrodeless photo-assisted electrochemical reaction with a luminous array film as the UV source』
　論文リンク先→　http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab043c

当社理解による論文概要(ご参考)

  • UVCーLAFiを照射しながらGaNの化学エッチングができる。
  • これまで、1ｋWクラスのHgランプやエキシマ-ランプを使用していたが実用的でない。
  • そこでLAFiを検討して、従来のDry etching と同等のエッチングスピードが実現出来た。
  • LAFiはわずか15Wで8.2ｍW/cm が出ている。
  • 従来のUVA－LEDを使用した場合に比べて１/340の消費電力になる。
  • 非常に簡単な方法で、誰でも使用出来る。

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